Choose timezone
Your profile timezone:
量子ビームを用いた半導体への点欠陥の導入は、宇宙環境や原子力施設といった放射線環境で動作するデバイスの劣化メカニズムの研究や耐放射線性強化のために行われてきたが、最近では、単一光子源や量子ビット、量子センサーといった量子技術に活用できる点欠陥の形成にも用いられるようになっている。本講演では、量子ビーム(イオン、電子)を用いた宇宙用太陽電池の放射線劣化モデルの構築、次世代パワー半導体や粒子検出器として期待されているダイヤモンド半導体の耐放射線性に関する最近の研究について紹介するとともに、量子ビームを用いたSiC量子センサーの開発や希土類ドープGaN単一光子源の研究についても紹介する。
対象:(所内向け)大学院生および研究者
RIビーム基盤開発部 計測技術チーム 池田時浩