INTT日本語ミーティング

Tuesday 19 Aug 2025, 21:55 → 23:59 Asia/Tokyo

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https://riken-jp.zoom.us/j/93991701519?pwd=1JKqgFZd1RCOHguLeuCJDIzvCamQyO.1

22:00 → 22:20 一般議題

250819_INTTJmtg_General.pdf

- ISMDは中川さん・関口さん両名が参加予定（関口さんはトークが通れば）

- ISポスターのsPHENIXの内部締め切りは8/27
- 原田さんのBNL出張は１２月予定（１１月３～１２月５日はTRIUMF出張）
- 秋葉さんは１０月７～１７日予定で出張
- 奈良女４年生は１台のレンタカーで充分だったので、レンタカーを１台返却
- 奈良女はオーサーシップの確認の確認をする

-- 去年のM2が論文に名前を載せるために、今年のActive Authorに入れないといけないのか？

22:20 → 22:40 ハーフエントリー問題

Speaker: Mr Tomoki Harada (Rikkyo)

250819日本語ミーティング_原田.pdf

- intt7 felix0のhalf entry chipの回復に問題があるのは数の問題？それともtypeA-Bの違い？
-- ROCからの距離はtypeBのほうが近いので距離の問題ではない
- １％のhalf entry chipは回復した
- Slide6、preliminaryリクエストは左のプロットだけで十分
- 左図の２６チップ全部示すのではなく、custom controlしたchipとしてないチップを分けたパネルで表示するほうがいい？
-- レジェンドをRun with original setting や Run with customized settingのようにすると同時に表示して混乱が少ない
- INTTグループとして新しいパラメータで走ることに同意している
- preGMでのpreliminaryリクエストは原田さん自身で発表。中川さんはサポート

- 解析ノートはできるだけ早くsPHENIXにながす

22:40 → 23:00 INTT検出効率

Speaker: Takahiro Kikuchi (Rikkyo university)

20250820_菊池陸大.pptx

- スライド２はヒット期待位置から実際のヒット分布を引いた差分（対応するヒットがないときの分布）
- 低いpTですり抜けが増えるのは、磁場ありの時に原点から方位角でおおわれている検出器レイヤー間をすり抜ける可能性が増えるから
- 電荷が逆だとすり抜けにくくなる？
-- レイヤーの間をすり抜ける場合は正負電荷どちらも同等すり抜ける
- マッピングはすり抜けの分布図のこと

-- 使う単語や説明を統一したほうが良い
- pTのスライスをもっと細かくできるか？

-- 0.1GeVスライスくらいでから確認して、統計が必要ならもう少し赤いスライスにする
- simulationdデータを見せるためにpreliminaryはいらない。ただし解析ノートは通常と同様に３日前に提出しなければならない

23:00 → 23:20 DAC0 Scan update

Speaker: Nao Morimoto

DAC0 Scan Update.pdf

- ８月のデータのcollisionレートは４０～５０ｋHzで６月の４～５倍程度
- collisionのインターバルが短くなると、pile-upの効果でADCが小さくなる（hot channelが減る？）効果も期待されたが、結果はそうはなっていない
- DAC0=25にした場合Hit map online monitorのthresholdをJosephに変更してもらう必要あり
- 金曜のINTTミーティング発表後にデフォルト値を変更