- スライド2はヒット期待位置から実際のヒット分布を引いた差分(対応するヒットがないときの分布)
- 低いpTですり抜けが増えるのは、磁場ありの時に原点から方位角でおおわれている検出器レイヤー間をすり抜ける可能性が増えるから
- 電荷が逆だとすり抜けにくくなる?
-- レイヤーの間をすり抜ける場合は正負電荷どちらも同等すり抜ける
- マッピングはすり抜けの分布図のこと
-- 使う単語や説明を統一したほうが良い
- pTのスライスをもっと細かくできるか?
-- 0.1GeVスライスくらいでから確認して、統計が必要ならもう少し赤いスライスにする
- simulationdデータを見せるためにpreliminaryはいらない。ただし解析ノートは通常と同様に3日前に提出しなければならない