Speaker
KAZUTAKA TSUKAHARA
(Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co.,Ltd.)
Description
半導体向けイオン注入装置は、イオンソース、質量分離部、加速部、注入・搬送部の4つの主要な構成要素から成り立っており、特定のイオンを半導体基板の目的の深さに注入することで、基板内部にP型やN型の半導体を生成し電気的特性を作り出すために使用されるほか、ターゲット材料表面の改質や耐久性向上などの用途にも利用されています。特に高エネルギーイオン注入装置は、エネルギー、注入角度、ビーム発散角度など、目的の深さへ正確に注入をするために、高精度の測定・制御が必要とされます。
例として、CMOSイメージセンサのフォトダイオードやSiCパワーデバイスのSJ（スーパージャンクション）などの製造に使用されています。
| 口頭発表/ポスター発表 | Oral |
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Primary author
KAZUTAKA TSUKAHARA
(Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co.,Ltd.)
